无锡新洁能功率半导体有限公司 是一家专业从事大功率半导体器件与功率集成电路芯片设计的高新技术企业。
公司专注于MOS半导体功率器件（沟槽型大功率MOS器件、超结MOS器件、NPT-IGBT）以及射频（微波）RF-LDMOS器件的设计、生产、测试与质量考核、销售及服务。拥有自主知识产权和“新功率”、“NCE Power”品牌。公司在中国大陆、香港分别建立了设计与运营中心、销售公司以及外包芯片流片基地、成品封装基地、成品测试基地，并有完善的质量控制保证系统，保证产品品质的一致性和稳定性。
新洁能股份有限公司 拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一，产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品、达1500余种，为国内MOSFET等功率器件市场占有率排名前列的本土企业。
MOSFET
作为领先的MOSFET分立器件设计与供应商，新洁能致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V，配合最先进的封装技术，为您提供100mA至400A的电流选择范围。我们专注于持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理及电能转换。
通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，新洁能MOSFET实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C），其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。通过采用这些先进的技术手段，MOSFET的FOM（品质因子（Qg*Rdson））得以实现行业内的领先水平。
应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，我们的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。
新洁能结合最先进的封装技术将MOSFET功率、电流和可靠性提升至新的高度，我们推出TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并降低了成本。
| 12-300V N MOSFET | 12-150V P MOSFET | 500-1050V N MOSFET | 12-300V NP MOSFET |
| 12-200V N-Channel Trench MOSFET | 12-150V P-Channel Trench MOSFET | 500-800V N-Channel SJ-III MOSFET | Complementary MOSFET |
| 30-250V N-Channel SGT-I MOSFET | 30-100V P-Channel SGT-I MOSFET | 600-650V N-Channel SJ-III MOSFET | Dual N and P-Channel MOSFET |
| 30-120V N-Channel SGT-II MOSFET |
| 500-650V N-Channel SJ-IV NF MOSFET | Half-bridge N-Channel MOSFET |
|
| 500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET |
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IGBT
通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了最佳权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备优秀的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。不同系列（如B系列、W系列等）广泛应用于各个领域。
| 600-650V IGBT | 1200-1350V IGBT |
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| 出色导通压降 | 极短拖尾电流 | 优秀短路性能 |
MODULE
以先进的IGBT芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，新洁能推出全新的IGBT 功率集成模块（PIM）系列产品。该系列产品包括650V、750V、1200V和1700V系列产品，并搭载了不同系列的IGBT芯片，以保证产品工作效率最优；同时，可以提供各种通用的封装外形和电路拓扑的IGBT功率模块产品，满足不同的应用要求。新洁能的PIM可以广泛用于工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域。
应用行业
