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新洁能,超结功率MOSFET,功率半导体应用于“5G电源”领域
来源: | 作者:佚名 | 发布时间: 2022-06-02 | 1198 次浏览 | 分享到:

5G电源应用说明


  如今的许多应用环境,如计算和存储、通信交换机和路由器以及无线通信,越来越依赖于数据处理,为了满足5G通信下庞大的数据体系,进一步推动了5G通信设备中功率电路的发展应用。整个电源系统必须具有高能效和高密度,以提供所需的高水平电源性能。

       

      新洁能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Split Gate Trench MOSFET 系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到极致,全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面,通过功能性升级与工艺技术优化来降低总体成本。

      

      目前,新洁能已推出第二代Split Gate Trench MOSFET,相比于第一代产品,第二代产品特征导通电阻降低20%以上,ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升20%以上,具有更低的栅极电阻,可以满足客户更高能效更高可靠性的需求,产品的性价比进一步提升。


线路图

推荐产品


PFC:

Super-Junction Gen.3 MOS 、Super-Junction Gen.3 TF MOS 、 Super-Junction Gen.4 MOS 、 

Super-Junction Gen.4 NF MOS:VDS=650V-700V  Ron@10V(max)=140mΩ-360mΩ


Fly back:

Super-Junction Gen.3 MOS、Super-Junction Gen.3 TF MOS 、Super-Junction Gen.4 MOS、 

Super-Junction Gen.4 NF MOS:VDS=650V-700V  Ron@10V(max)=140mΩ-360mΩ


同步整流:

N-channel SGT Gen.2 MOS & N-channel SGT Gen.1 MOS:VDS=100V-150V   Ron@10V(max)<10mΩ


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