电视 应用说明

  因液晶屏本身没有发光功能，这就需要在液晶屏后加一个照面系统，该背光照明系统由发光部件、导光板和背光电源构成。TV背光电源功率一般为100-500W，其作用就是将市电的交流电压转换成12V的直流电压输出，从而向显示器供电。由于显示器内部的主板上还有DC-DC电压转换器以获得8V/5V/3.3V/2.5V电压，所以电源输出的12V的直流电压就能满足显示器工作的要求。一般拓扑结构会采用PFC、LLC、SR、Falyback、BOOST+CC/CV拓扑等。

       新一代TV超薄的外形，对背光电源的小型化、轻薄化提出了挑战。新洁能提供了最丰富的表面贴装的高压和低压MOSFET，具有良好的EMI和出色的热性能。

线路图

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PFC: 

SJ-III MOSFET：VDS=650-700V Ron@10V（max）=140mΩ-680mΩ

Flyback：

SJ-III MOSFET：VDS=650-700V Ron@10V（max）=140mΩ-680mΩ

LLC：

SJ-III TF MOSFET：Ron@10V（max）=140mΩ-360mΩ

Boost：

N-channel SGT-II MOSFET 、 N-channel SGT-I MOSFET : VDS=30V   Ron@10V（max）=1.65mΩ-6.4mΩ

SR：

N-channel SGT-II MOSFET 、N-channel SGT-I MOSFET : VDS=40V-85V  Ron@10V（max）＜10mΩ 封装形式DFN、TOLL

N-channel SGT-II MOSFET 、 N-channel SGT-I MOSFET : VDS=85V     Ron@10V（max）=3.6-10.2mΩ

N-channel SGT-II MOSFET 、 N-channel SGT-I MOSFET : VDS=100V    Ron@10V（max）=3.0-95mΩ

N-channel SGT-II MOSFET 、 N-channel SGT-I MOSFET : VDS=150V    Ron@10V（max）=2-65mΩ

小信号MOS：Normal Trench

P-channel Trench MOSFET：VDS=-20V  Id=-0.66A- -9A

P-channel Trench MOSFET：VDS=-30V  Id=-2A - -9.1A

N-channel Trench MOSFET：VDS=20V   Id=0.5A-8A

N-channel Trench MOSFET：VDS=30V   Id=2A-8A