作为领先的MOSFET分立器件设计与供应商，新洁能致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V，配合最先进的封装技术，为您提供100mA至400A的电流选择范围。我们专注于持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理及电能转换。
通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，新洁能MOSFET实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；应对于高频率的开关应用，我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C），其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。通过采用这些先进的技术手段，MOSFET的FOM（品质因子（Qg*Rdson））得以实现行业内的领先水平。
应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，我们的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。
新洁能结合最先进的封装技术将MOSFET功率、电流和可靠性提升至新的高度，我们推出TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并降低了成本。
30-100V P-Channel SGT-I MOSFET概览
新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率MOSFET成为高端开关的理想选择。P沟道功率MOSFET产品的选用可以简化栅极驱动，往往可以降低系统的总成本，为设计人员提供了一种新的选择。此外，P沟道功率MOSFET产品利用空穴作为载流子进行导电，其迁移率低于N沟道功率MOSFET中的载流子电子，同等情况下，P沟道功率MOSFET产品导电性能弱于N沟道功率MOSFET产品。
新洁能基于SGT-I技术的-30~-100V P沟道功率产品提供超低的导通电阻（RDS(on)），为设计人员在简化系统复杂度、降低系统总成本的前提下，进一步提高系统效率与性能。广泛应用于电池保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。
P沟道SGT-I系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多种封装形式，为设计人员优化系统提供最优的解决方案。
注："SGT MOSFET"又称“Super Trench MOSFET”。
产品特性
产品列表（请下载Excel查看）
30-100V P-Channel SGT-I MOSFET产品详情.xlsx
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