Super Trench 产品概况
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道Super Trench Gen.2系列功率MOSFET 产品，其超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密度与能量转换效率。
同时，面向性能与鲁棒性要求极为苛刻的低频应用，新洁能N沟道Super Trench Gen.2系列产品进一步优化了大电流关断能力与静电防护能力，可满足包括直流电机驱动、锂电池保护、AC/DC同步整流等广泛应用。此外，相比于新洁能上一代Super Trench Gen.1系列产品，Super Trench Gen.2系列产品特征导通电阻Ron,sp 降低20%，FOM值进降低20%，为设计人员进一步提高系统效率提供了更优的选择。
注：“Super Trench MOSFET”又称“SGT MOSFET”。
Super Trench平台系列
Super Trench产品性能概况
能量损耗低
对于 85V & 100V 电压段产品而言，Gen.2 Rsp 比 Gen.1 低20%！
100V SGT 代表产品与竞争者参数对比
85V SGT 代表产品与竞争者参数对比
稳定性强
SGT 2相对SGT 1短路能力加强！
Super Trench封装技术概况先进封装
先进封装
Super Trench典型应用
Super Trench Gen.2命名规则
更多新洁能，超结-IGBT-沟槽型功率MOSFET-超结功率MOSFET-屏蔽栅功率MOSFET及其它产品，欢迎来电垂询~
