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新洁能,沟槽型功率MOSFET,MOSFET,超结功率MOSFET,屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,IGBT功率半导体在“小家电”产品上的应用说明
来源: | 作者:佚名 | 发布时间: 2022-06-06 | 1745 次浏览 | 分享到:

1.风扇 应用说明

   无刷直流风扇是一种没有机械换向器和电刷的直流电动机,它采用电子换向装置,从而克服了一般直流电机存在的有换向火花、可靠性差、噪声大、对无线电干扰等弱点。它既有一般直流电动机的机械特性和调节性,又具有调速范围宽、体积小、启动迅速、运行可靠、效率高、寿命长等优点。目前广泛应用于小家电风扇行业,一般功率小于100W。拓扑结构有P+N,N+N,3 Phase。

NCE的优势:

      更小的封装尺寸:针对有刷无刷直流电机的双芯片N+N或者N+P的双芯封装芯片。

      更大的电流能力:运用CLIP和贴片式封装使芯片的散热能力更强。

      更好的可靠性:更强的雪崩能力和抗冲击能力。


线路图



推荐产品


Complementary MOSFET:VDS=12V-60V   P+N双芯

Dual N and P-channel MOFET:VDS=18V-60V   N+N双芯

IC:栅极驱动 IC



2.扫地机器人 应用说明

  智能扫地机器人是现代家庭环境设计的新型地板、地毯清洁用具,使用可充电电池作为电源,集打扫、吸尘功能于一身。扫地机器人的基本架构通常包括中央处理器、电源/电池管理单元、电池充电器、无线通信模块、人机界面、传感器及驱动模块(有刷和无刷电机)。随着市场及应用要求进一步提升,马达驱动及锂电管理也向高功率密度,体积小型化,连续工作时间长的方向发展,首先要求功率器件可靠且高效节能,其次全新的封装外形以实现体积更小的设计也非常重要。

       新洁能Super Trench MOSFET系列产品,能实现高频开关(低Rg),低传导损耗(最优的RDSon性能)、低开关损耗(优良的开关特性),配合先进的封装技术,提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制。


线路图




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AC/DC充电器 MOS:

SJ-III MOSFET:VDS=650V-700V       Ron@10V(max)=900mΩ-2400mΩ  


同步整流MOS:

N-channel SGT-II MOSFET 、 N-channel SGT-I MOSFET:VDS=100V-150V    Ron@10V(max)<10mΩ


步进电机:

Complementary MOSFET:VDS=12V-30V    P+N双芯

Dual N and P-channel MOSFET:VDS=18V-30V    N+N双芯

IC:栅极驱动 IC



吸尘电机:

N-channel SGT-II MOSFET 、 N-channel SGT-I MOSFET:VDS=30V    Ron@10V(max)=2.3mΩ-7.1mΩ  

栅极驱动IC:三相桥驱动



锂电池充放电MOS:

N-channel Trench MOSFET:VDS=30V      Ron@10V(max)<11mΩ

N-channel SGT-II MOSFET  、N-channel SGT-I MOSFET:VDS=30V    Ron@10V(max)<10mΩ



3.电磁炉 应用说明

    随着市场趋势走向快速烹饪成为新的亮点,快速烹饪要求更高功率高效率的电磁炉,这也意味着元器件必须在更苛刻的条件下工作。加热更快,更均匀和更高能效使感应烹饪成为一个日益增长的消费趋势。但设计一个感应烹饪系统并非没有挑战。设计人员经常面临电网扰动引起的现场高故障率问题,炉灶的更换和维修成本非常高。另一方面,市场的竞争性增加了成本压力并限制保护功能的应用。

      新洁能Trench FS II IGBT系列产品具有饱和压降低,开关损耗小,功率密度高,开关震荡小,参数一致性高等特点,为你提供更具性价比的产品。


线路图



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1200V-1350V IGBT:VCE=1350V, ID=15A/25A/40A 




4.破壁机 应用说明

     破壁机与传统榨汁机相比,具有超高转速瞬间击破果蔬等食材的细胞壁,更有效提取食材营养,且口感细腻。在功能上,破壁机集合了榨汁机、豆浆机、料理机、研磨器、以及和面机等功能,大大提升了产品的适用范围,是现代居家保健、养生首选的神器。目前高端破壁机多采用PMSM电机控制,具有更小的体积、更高的转速、更低的工作噪音、更强劲的破壁能力、更宽的调速范围。

       新洁能为您提供了丰富广泛的产品组合,包括650V/700V的 Super Junction MOSFET III系列产品、新一代Trench FS II IGBT系列产品,在降低器件功耗,提升系统效率的同时,兼具了更好的鲁棒性。


线路图





推荐产品


开关电源:

SJ-III MOSFET:VDS=650V-700V    Ron@10V(max)=360mΩ-1100mΩ  


马达驱动:

600V-650V IGBT:ID=7A-40A



5.抽油烟机 应用说明

       近年来,抽油烟机的变频技术逐渐成熟,相比于普通交流电机烟机,直流电机烟机最大差异化就是直流电机烟机更节能、更高效、噪声低,直流变频电机烟机的全压效率32%远远高于国家标准25%,同比节能30%以上。另外由于中式厨房的环境问题,对油烟机的电机性能也提出了新的考验,传统定频电机定子和转子之间形成油垢,电机就会造成发热等情况,大大减小了使用寿命,直流变频电机烟机具有更好的密封性。在变频控制器的作用下,能够确保烟机各项电压、电流参数更精确,从而延长烟机综合使用寿命。

       新洁能应对市场发展,推出新一代Trench FS II IGBT系列产品,具有饱和压降低,开关损耗小,功率密度高,开关震荡小,参数一致性高等特点,令系统稳定平稳运行的同时抑制振动,带来较少的噪音。


线路图



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辅助电源部份MOS:

SJ-III MOSFET:VDS=650V-700V     Ron@10V(max)=360mΩ-1100mΩ      


风机驱动IGBT:

VCE=600V-1200V  ID=7A-40A

PIM:1200V 200A以内



6.空气净化器 应用说明

空气净化器主要由马达、风扇、空气过滤网等系统组成,其工作原理为:机器内的马达和风扇使室内空气循环流动,污染的空气通过机内的空气过滤网后将污染物清除或吸附,将空气不断电离,产生大量负离子,被微风扇送出,形成负离子气流,达到清洁、净化空气的目的。随着人们生活水平的提高,越发认识到清洁空气对于身体健康的重要性。为了改善日益严重的空气环境,空气净化类产品成为家电卖场中热门的产品品类,其中空气净化器作为改善室内空气环境有效工具而受到用户的青睐。

       新洁能针对空气净化器也推出了P+N双芯系列MOS,以满足和应对市场的发展及变化。


线路图




推荐产品


开关电源部分:

高压MOS:

SJ-III MOSFET:VDS=650V-700V   Ron@10V(max)=360mΩ-1100mΩ  


同步整流MOS:

SGT-II MOSFET 、 SGT-I MOSFET:VDS=100V-150V     Ron@10V(max)<10mΩ


电机部分

Complementary MOSFET:VDS=30V-40V  P+N双芯

IC:栅极驱动 IC



7.吸尘器 应用说明

       吸尘器是现代家庭比较常见的集打扫、吸尘功能于一身的清洁工具。吸尘器的动力部分主要有吸尘器电机和无刷电机控制器。吸尘器的风机叶轮在电动机高速驱动下,将叶轮中的空气快速排除风机,同时使吸尘部分空气不断地补充进风机,配合扫尘刷将粉尘脏污吸入腔体。便携式吸尘器的功率一般为250W以下。

       新洁能Super Trench MOSFET系列产品,能实现高频开关(低Rg),低传导损耗(最优的RDSon性能)、低开关损耗(优良的开关特性),配合先进的封装技术,提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理和电机控制


线路图



推荐产品


AC/DC充电器 MOS:

SJ-III MOSFET:VDS=650V-700V   Ron@10V(max)=140mΩ-680mΩ 

同步整流MOS:

SGT-II MOSFET 、 SGT-I MOSFET:VDS=100V-150V   Ron@10V(max)<10mΩ


电机:

SGT-II MOSFET 、 SGT-I MOSFET:VDS=40V    Ron@10V(max)=1mΩ-6.6mΩ   DFN5*6

SGT-II MOSFET 、 SGT-I MOSFET:VDS=60V     Ron@10V(max)=3.1mΩ-7.5mΩ  DFN5*6


锂电池充放电:

SGT-II MOSFET 、 SGT-I MOSFET 、 N-channel Trench MOSFET:

VDS=40V    Ron@10V(max)=1mΩ-6.6mΩ    DFN5*6

VDS=60V    Ron@10V(max)=3.1mΩ-7.5mΩ   DFN5*6


地板刷:       

Complementary MOSFET:VDS=12V-30V    P+N双芯

Dual N and P-channel MOSFET:VDS=18V-30V   N+N双芯

IC:栅极驱动 IC


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