IGBT通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了最佳权衡，能够大幅度提高系统效率。同时，该系列产品具备优秀的短路能力，出色的低电磁干扰特性，可靠的开关速度控制力，为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。不同系列（如B系列、W系列等）广泛应用于各个领域。
600-650V IGBT概览
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Injection Enhance, IE）与场截止（Field Stop，FS）技术，新洁能IGBT系列产品在提供行业领先的导通压降（Vce），并且在导通损耗与关断损耗（Eoff）之间做出了最佳权衡。出色的导通压降与极短的拖尾电流为设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。此外，新洁能600V至650V IGBT产品具备优秀的短路性能，为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。广泛应用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及所有的硬开关。
N沟道600-650V系列IGBT产品封装范围包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-3P、TO-247等。
产品特性
产品应用
变频冰箱 、变频空调 、变频器 、电焊机
UPS 、光伏逆变器 、电动工具 、工业缝纫机
破壁机 、车载OBC 、车载逆变器 、抽油烟机
产品列表（详情下载Excel查看）
600-650V IGBT产品参数.xlsx
更多新洁能，沟槽型功率MOSFET，超结功率MOSFET，屏蔽栅功率MOSFET及IGBT信息欢迎来电垂询。
联系人：董经理
电 话：027-87002902
手 机：133 9604 0435(微信同号)
Q Q: 3492270566
邮 箱：nmb-vip@126.com
公 司：武汉匡旭电子科技有限公司
