IGBT通过工艺与器件结构优化,新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了最佳权衡,能够大幅度提高系统效率。同时,该系列产品具备优秀的短路能力,出色的低电磁干扰特性,可靠的开关速度控制力,为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。不同系列(如B系列、W系列等)广泛应用于各个领域。
1200-1350V IGBT概览
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化,新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了最佳权衡,能够大幅度提高系统效率。同时,该系列产品具备优秀的短路能力,出色的低电磁干扰特性,可靠的开关速度控制力,为设计人员在系统可靠性方面设计提供充足的保障。不同系列(如B系列、W系列等)广泛应用于各个领域。
N沟道1200-1350V系列IGBT产品封装范围包括TO-264、TO-3P、TO-247等。
产品特性
系统效率极高
优秀短路能力
出色低电磁干扰特性
可靠开关速度控制力
产品应用
产品列表(详情下载Excel查看)
1200-1350V IGBT产品参数.xlsx
更多新洁能,沟槽型功率MOSFET,超结功率MOSFET,屏蔽栅功率MOSFET及IGBT信息欢迎来电垂询。
联系人:董经理
电 话:027-87002902
手 机:133 9604 0435(微信同号)
Q Q: 3492270566
邮 箱:nmb-vip@126.com
公 司:武汉匡旭电子科技有限公司