30-250V N-Channel SGT-I MOSFET概览

新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET 产品，以领先市场的技术和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了行业最优的性价比。广泛应用于开关电源（SMPS）中的同步整流、DC电机控制、太阳能微型逆变器、电信及服务器电源以及不间断电源（UPS）等领域。针对电源设计领域中，设计人员面临提高系统效率与功率密度，同时降低系统成本的双重挑战，新洁能N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品凭借出色的导通电阻（RDS(on)）与优秀的品质因子（FOM，RDS(on)×Qg）可实现快速硬开关，大幅度增强了应用效率，成为该挑战的完美解决方案。

N沟道SGT-I系列功率MOSFET封装范围包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多种封装，为设计人员定制化提供更加丰富灵活的选择。

注："SGT MOSFET"又称“Super Trench MOSFET”。

产品特性

• 低导通电阻

• 优良品质因子

• 高可靠性

• 高性价比

产品应用

• 电视、电池管理、5G电源、基站电源、通信交换机与路由器、转换器

• 医疗设备、手持电动工具、启停器、车载逆变器

• 扫地机器人、空气净化器、吸尘器、电控

产品列表（请下载Excel查看）

30-250V N-Channel SGT-I MOSFET产品参数.xlsx

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