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新洁能,沟槽型功率MOSFET,超结功率MOSFET,屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,500-800V N-Channel SJ-III MOSFET概览
来源: | 作者:佚名 | 发布时间: 2022-06-08 | 609 次浏览 | 分享到:

500-800V N-Channel SJ-III MOSFET概览

新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品,以优秀的导通电阻,极低的栅极电荷,出色的开关速度,以及极具竞争力的性价比,成为开关电源应用中的理想选择。同时,新洁能SJ-III系列产品提供业内领先的雪崩耐量(EAS)以及静电释放能力,提高了系统可靠性。此外,该系列产品采用新洁能自主创新技术,优化了产品开关特性,使其在系统应用时具有更好的EMI表现。广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。


N沟道500-800V系列SJ-III MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。



产品特性

  • 导通电阻低

  • 栅极电荷低

  • 开关速度出色

  • 性价比极高

  • 系统可靠性提高



产品应用

  • 电视、5G电源、基站电源、PC电源

  • 充电器、适配器、LED照明、扫地机器人

  • 破壁机、抽油烟机、空气净化器、吸尘器



产品列表请下载Excel查看)


500-800V N-Channel SJ-III MOSFET产品参数.xlsx

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