600-650V N-Channel SJ-III TF MOSFET概览
新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道SJ-III TF系列功率MOSFET产品。为了满足全桥、半桥、LLC谐振开关应用中效率及EMI需求，基于新洁能在SJ-III技术基础上，在保证优秀的导通电阻、极低栅电荷以及出色的开关速度前提下，增强了超结产品的体二极管反向恢复特性，综合优化了超结产品由于体二极管反向恢复带来的损耗以及可靠性问题。
N沟道500-800V系列SJ-III MOSFET TF产品封装范围包括TO-220、TO-263、TO-252、TO-247等。
产品特性
产品应用
5G电源、基站电源、通信交换机与路由器、PC电源
适配器、LED照明、车载OBC、车载逆变器
产品列表（请下载Excel查看）
600-650V N-Channel SJ-III TF MOSFET产品参数.xlsx
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