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新洁能,沟槽型功率MOSFET,超结功率MOSFET,屏蔽栅沟槽型功率MOSFET, 500-650V N-Channel SJ-IV NF MOSFET概览
来源: | 作者:佚名 | 发布时间: 2022-06-08 | 663 次浏览 | 分享到:

500-650V N-Channel SJ-IV NF MOSFET概览

新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IV NF系列功率MOSFET产品。基于新洁能SJ-IV技术的基础上,在保证业界领先的超低特征导通电阻的前提下,特别优化了体二极管特性,减小反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(Trr),大幅度提升了产品的反向恢复速度与反向恢复损耗,特别适用于LLC等桥式电路中。相比于新洁能SJ-IV产品,可以为设计人员提供更低的系统总损耗,更高的系统可靠性,以及更大的EMC裕量。


N沟道500-650V系列SJ-IV MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等。



产品特性

  • 导通电阻低

  • 反向恢复特性强

  • 系统可靠性更高

  • EMC裕量大



产品应用

  • 5G电源、基站电源、 PC电源 、适配器 、LED照明



产品列表(请下载Excel查看)


500-650V N-Channel SJ-IV NF MOSFET产品参数.xlsx

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