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新洁能,沟槽型功率MOSFET,超结功率MOSFET,屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET概览
来源: | 作者:佚名 | 发布时间: 2022-06-08 | 680 次浏览 | 分享到:

500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET概览

新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV 系列功率MOSFET产品。采用第四代技术超结技术的产品,具有优异的性能,实现了业界领先的超低特征导通电阻(Ron,sp),在相同体积下提供更高的功率密度、更低的功耗与更高的效率。此外,针对快速开关电路,新洁能第四代超结特别优化了开关性能,提供了更加稳健的开关特性,更好的EMI表现,为系统设计提供更大设计裕量。同时该系列产品还提供优秀的抗静电能力,为设计人员提供更加可靠的系统稳定性。广泛应用于家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。


N沟道500-1050V系列SJ-IV MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等。



产品特性

  • 超低导通电阻

  • 开关特性稳健

  • EMI表现佳

  • 优秀抗静电能力

  • 系统稳定性更佳



产品应用

  • 5G电源、基站电源、PC电源、适配器、LED照明



产品列表(请下载Excel查看)


500-1050V N-Channel SJ-IV MOSFET产品参数.xlsx

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